O le tau o le fa'aogaina o le malosi e fa'atatau i ma'a ma le fa'aliliuina o le malosi. O le aofaʻi o ia mea e lua e aofia ai le 80% o le tau o le faʻaogaina o le eletise eletise, lea e 20%. O le IGBT insulating grid bipolar crystal o le mea mata'utia i luga o le eletise e teu ai le eletise. O le faʻatinoga o le IGBT e fuafua ai le faʻatinoga o le faʻaogaina o le eletise, faʻamaumauga mo le 20% -30% o le tau o le inverter.
O le matafaioi autu a le IGBT i le fanua o le teuina o le malosi o le transformer, faʻaliliuga faʻasolosolo, suiga faʻalavelave, ma isi, o se masini taua tele i le teuina o le malosi.
Ata: IGBT module
O mea mata'utia o lo'o i luga ole laiga e teu ai le malosi e aofia ai le IGBT, capacitance, resistance, eletise, PCB, ma isi. O loʻo i ai pea se va i le va o le IGBT i totonu o le atunuʻu ile tulaga faʻatekonolosi ma tulaga taʻutaʻua i le lalolagi. Ae ui i lea, faatasi ai ma le televave o le atinaʻeina o le gaosiga o le malosi o Saina, o le faʻaogaina o le IGBT o loʻo faʻamoemoeina foi e faʻavave.
IGBT malosi e teu ai le aoga aoga
Pe a faatusatusa i le photovoltaic, o le tau o le teuina o le malosi IGBT e matua maualuga lava. O le teuina o le malosi e faʻaaogaina ai le tele o le IGBT ma le SIC, e aofia ai fesoʻotaʻiga e lua: DCDC ma le DCAC, e aofia ai ni fofo se lua, e taʻua o le faʻapipiʻiina o mea faʻapipiʻi faʻapipiʻiina ma tuʻufaʻatasia le faʻaogaina o le malosi. O le faʻaogaina o le malosi tutoʻatasi, o le aofaʻi o masini semiconductor eletise e tusa ma le 1.5 taimi le photovoltaic. I le taimi nei, e mafai ona sili atu i le 60-70% le teuina o mea faʻapitoa, ma o se faʻaogaina o le malosi e teu ai le 30%.
Ata: BYD IGBT module
IGBT o loʻo i ai le tele o laupepa faʻaoga, lea e sili atu le aoga nai lo le MOSFET i le faʻaogaina o le eletise. I galuega faatino, IGBT ua faasolosolo ona suia MOSFET e avea ma masini autu o photovoltaic inverters ma le gaosiga o le matagi. O le televave o le atinaʻeina o le gaosiga o le eletise fou o le a avea ma malosiaga fou mo le pisinisi IGBT.
IGBT o le masini autu mo le suiga o le malosi ma le felauaiga
E mafai ona malamalama atoatoa le IGBT o se transistor e pulea le eletise e lua-auala (multi-directional) o loʻo tafe ma le valve control.
O le IGBT o se masini semiconductor malosi fa'ato'a fa'atonu e fa'atūina atoa e aofia ai le BJT bipolar triode ma le insulating grid field effect tube. Le lelei o itu e lua o le pa'u o le mamafa.
Ata: IGBT module structure schematic diagram
Ole suiga ole galuega ole IGBT ole fausia lea ole alaala ile fa'aopoopoina lelei ile voltage ole faitoto'a e tu'uina atu ai le fa'avae i le taimi nei ile PNP transistor e ave ai le IGBT. I le isi itu, faʻaopoopo le eletise o le faitotoʻa faʻafefe e faʻaumatia ai le alalaupapa, tafe atu i le pito i tua, ma tape le IGBT. O le auala avetaʻavale a le IGBT e tutusa lava ma le MOSFET. E na'o le mana'omia o le fa'atonutonuina o le pou fa'aofi N tasi-channel MOSFET, o lea e maualuga ai le fa'aogaina o uiga.
IGBT o le masini autu o le suiga o le malosi ma le felauaiga. E masani ona lauiloa o le "CPU" o masini eletise eletise. I le avea ai o se atinaʻe faʻalauiloa a le atunuʻu, ua faʻaaogaina lautele i masini fou malosi ma isi matata.
O le IGBT e tele mea lelei e aofia ai le maualuga o le faʻaogaina o le faʻaogaina, maualalo le malosi o le pulea, taʻavale faigofie, faʻavave vave suiga, tele-setete o loʻo i ai nei, faʻaitiitia le mamafa o le faʻafefe, ma le gau laʻititi. O le mea lea, o loʻo i ai le tulaga lelei atoatoa i le siosiomaga maketi o loʻo iai nei.
O le mea lea, o le IGBT ua avea ma mea sili ona taua o le maketi semiconductor o loʻo iai nei. E faʻaaogaina lautele i le tele o eria e pei o le gaosiga o le malosi fou, taʻavale eletise ma faʻapipiʻi faʻaputuga, vaʻa eletise, faʻasalalau DC, faʻapipiʻiina o le malosi, faʻatautaia eletise fale gaosi oloa ma le faʻasaoina o le malosi.
Ata:InfineonIGBT module
IGBT fa'avasegaga
E tusa ai ma le fausaga o oloa eseese, IGBT e tolu ituaiga: tasi -paipa, IGBT module ma atamai module IPM.
(Tu'u fa'aputuga) ma isi fa'ato'aga (tele o oloa fa'apitoa fa'atau atu i le maketi o lo'o iai nei). O le IPM module eletise atamai e masani ona faʻaaogaina i le fanua o mea papaʻe fale e pei ole ea inverter ma masini fufulu faʻaliliuga.
Faʻalagolago i le voltage o le faʻataʻitaʻiga o le talosaga, o le IGBT e iai ituaiga e pei ole ultra-low voltage, low voltage, medium voltage ma le maualuga.
Faatasi ai ma i latou, o le IGBT o loʻo faʻaaogaina e taʻavale malosi fou, faʻatautaia o fale gaosi oloa, ma mea faigaluega a le fale e masani lava o le eletise, ae o le nofoaafi, o le gaosiga o le malosi fou ma le faʻaogaina o fesoʻotaʻiga e maualuga atu le manaʻoga, e masani ona faʻaaogaina le IGBT maualuga.
IGBT e tele lava ina faʻaalia i foliga o modules. O faʻamaumauga a le IHS o loʻo faʻaalia ai o le vaega o modules ma le tasi paipa o le 3: 1. O le module o se oloa semiconductor modular e faia e le IGBT chip ma le FWD (faʻaauau le puʻupuʻu diode) e ala i se alalaupapa taʻavale faʻapitoa, ma e ala i laupapa palasitika, substrates ma substrates. , ma isi.
Mtulaga o le vaa:
Ua televave le faatupulaia o kamupani Saina, ma o loo faalagolago nei i oloa mai fafo
I le 2022, o loʻu atunuʻu IGBT alamanuia sa i ai le gaosiga o le 41 miliona, ma le manaʻoga e tusa ma le 156 miliona, ma se fua faatatau o le tagata lava ia e 26.3%. I le taimi nei, o le maketi IGBT i totonu o le atunuʻu e tele lava ina nofoia e tagata gaosi oloa mai fafo e pei o Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, ma Fuji Electric, lea o le maualuga maualuga o Yingfei Ling, o le 15.9%.
O le maketi IGBT module CR3 na oʻo i le 56.91%, ma o le aofaʻi atoa o fale gaosi oloa Star Director ma le CRRC o le 5.01% o le 5.01%. O le vaega pito i luga o maketi e tolu a le au gaosi oloa o le lalolagi IGBT vaevae masini na oʻo i le 53.24%. O tagata gaosi oloa i totonu o le atunuʻu na ulufale atu i le sefulu pito i luga o maketi o le lalolagi IGBT masini faʻatasi ai ma le maketi o le 3.5%.
IGBT e tele lava ina faʻaalia i foliga o modules. O faʻamaumauga a le IHS o loʻo faʻaalia ai o le vaega o modules ma le tasi paipa o le 3: 1. O le module o se oloa semiconductor modular e faia e le IGBT chip ma le FWD (faʻaauau le puʻupuʻu diode) e ala i se alalaupapa taʻavale faʻapitoa, ma e ala i laupapa palasitika, substrates ma substrates. , ma isi.
Mtulaga o le vaa:
Ua televave le faatupulaia o kamupani Saina, ma o loo faalagolago nei i oloa mai fafo
I le 2022, o loʻu atunuʻu IGBT alamanuia sa i ai le gaosiga o le 41 miliona, ma le manaʻoga e tusa ma le 156 miliona, ma se fua faatatau o le tagata lava ia e 26.3%. I le taimi nei, o le maketi IGBT i totonu o le atunuʻu e tele lava ina nofoia e tagata gaosi oloa mai fafo e pei o Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, ma Fuji Electric, lea o le maualuga maualuga o Yingfei Ling, o le 15.9%.
O le maketi IGBT module CR3 na oʻo i le 56.91%, ma o le aofaʻi atoa o fale gaosi oloa Star Director ma le CRRC o le 5.01% o le 5.01%. O le vaega pito i luga o maketi e tolu a le au gaosi oloa o le lalolagi IGBT vaevae masini na oʻo i le 53.24%. O tagata gaosi oloa i totonu o le atunuʻu na ulufale atu i le sefulu pito i luga o maketi o le lalolagi IGBT masini faʻatasi ai ma le maketi o le 3.5%.
Taimi meli: Iul-08-2023
